מספר מוצר של יצרן:
TSM250N02DCQ RFG
Product Overview
יצרן:
Taiwan Semiconductor Corporation
DiGi Electronics מספר חלק:
TSM250N02DCQ RFG-DG
תיאור:
MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 6TDFN
תיאור מפורט:
Mosfet Array 20V 5.8A (Tc) 620mW (Tc) Surface Mount 6-TDFN (2x2)
מלאי:
18004 יחידות חדשות מק originales במלאי
12899798
בקשת הצעת מחיר
כמות
מינימום 1
מינימום 1
(*) הוא חובה
נחזור אליך תוך 24 שעות
נחזור אליך תוך 24 שעות
שלח
TSM250N02DCQ RFG מפרטים טכניים
קטגוריה
שסתומי שדה (FETs), שסתומי MOSFET, FET, מערכות MOSFET
יצרן
Taiwan Semiconductor
אריזות
Tape & Reel (TR)
סדרה
-
סטטוס המוצר
Active
טכנולוגיה
MOSFET (Metal Oxide)
תצורה
2 N-Channel (Dual)
תכונת FET
Standard
ניקוז למתח מקור (Vdss)
20V
זרם - ניקוז רציף (ID) @ 25°C
5.8A (Tc)
Rds On (מקס) @ ID, Vgs
25mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs(th) (מקס') @ מזהה
800mV @ 250µA
חיוב שער (Qg) (מרבי) @ VGS
11nC @ 4.5V
קיבוליות קלט (Ciss) (מרבית) @ Vds
775pF @ 10V
הספק - מקס'
620mW (Tc)
טמפרטורת פעולה
-55°C ~ 150°C (TJ)
סוג הרכבה
Surface Mount
חבילה / מארז
6-VDFN Exposed Pad
חבילת מכשירים לספקים
6-TDFN (2x2)
מספר מוצר בסיסי
TSM250
דף נתונים ומסמכים
גליונות נתונים
מידע נוסף
שמות אחרים
TSM250N02DCQ RFGCT
TSM250N02DCQ RFGTR
TSM250N02DCQRFGCT
TSM250N02DCQ RFGCT-DG
TSM250N02DCQRFGDKR
TSM250N02DCQRFGTR
TSM250N02DCQ RFGDKR
TSM250N02DCQ RFGTR-DG
TSM250N02DCQ RFGDKR-DG
חבילה סטנדרטית
3,000
סיווג סביבתי וייצוא
סטטוס RoHS
ROHS3 Compliant
רמת רגישות ללחות (MSL)
1 (Unlimited)
סטטוס REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
עבודת תקן DIGI
מוצרים קשורים
DMN13M9UCA6-7
MOSFET 2N-CH X3-DSN3518-6
DMN6040SSD-13
MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
DMTH4014LPD-13
MOSFET 2N-CH 40V 10.6A POWERDI50
